도 5를 참조하여, 구동 트랜지스터(DRT)에 대한 이동도 센싱

도 5를 참조하여, 구동 트랜지스터(DRT)에 대한 이동도 센싱 원리를 간단하게 [0095] 설명하면, 구동 트랜지스터(DRT)
의 문턱전압(Vth)를 제외한 전류능력 특성을 규정하기 위해서, 구동 트랜지스터(DRT)의 게이트 노드(N2 노드)에
일정 전압에 △Vsense(=△Vth)를 더하여 인가해준다.
[0096] 이렇게 해서 일정 시간 동안 충전된 전압의 양을 통해서, 구동 트랜지스터(DRT)의 전류능력(즉, 이동도)을 상대
적으로 파악할 수 있고, 이를 통해 보상을 위한 보정 게인(Gain)을 구해낸다.
[0097] 이러한 이동도 센싱은 구동 트랜지스터(DRT)가 기본적으로 턴-온(Turn-On) 되어 있으므로, 센싱 속도가 빠르다
는 특징이 있다. 따라서, 이동도 센싱 모드를 패스트 모드(F-Mode)라고도 한다.
[0098] 전술한 이동도 센싱을 통한 이동도 보상은, 화면 구동 시 일정 시간을 할애하여 진행될 수 있다. 이렇게 함으로
써 실시간으로 변동되는 구동 트랜지스터(DRT)의 파라미터를 센싱하고 보상할 수 있다.
[0099] 도 6은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 센싱 동작 시, 서브픽셀 회로 내 노드의 초기화 과정을 나
타낸 도면이다. 도 7은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 센싱 동작 시, 서브픽셀 회로 내 노드의
초기화 과정에 대한 서브픽셀 회로의 모델링 도면이다. 단, 구동 트랜지스터(DRT)의 N1 노드 및 N2 노드 각각은
소스 노드 및 게이트 노드인 것으로 가정한다.
[0100] 도 6을 참조하면, 유기발광표시장치(100)의 센싱 동작은, 구동 트랜지스터(DRT)의 소스 노드(N1 노드)와 게이트
노드(N2 노드)를 초기화하는 초기화 과정을 필요로 한다.
[0101] 서브픽셀 회로는 각 노드(N1 노드, N2 노드)의 초기화 성능에 따라서 화소 전류 특성이 바뀌므로, 초기화 성능
에 대한 개선이 필요하다.
[0102] 특히, 센싱 트랜지스터(SENT)는, 초기화 성능에 영향을 주는 주요 인자 중 하나이다.
[0103] 도 6을 참조하면, 도 3에 예시된 3T1C 구조의 서브픽셀 회로에서는, 일 예로, 구동 트랜지스터(DRT)의 소스 노
드(N1 노드)의 초기화전압(초기화 전원)으로서 기준전압(Vref)을 사용할 수 있다.
[0104] 이러한 초기화전압은 구동 트랜지스터(DRT)의 게이트 노드(N2 노드)와 소스 노드(N1 노드)의 전위차(Vgs)를 결
정하는데 중요한 기준이 되는 전원이다. 즉, 초기화전압은 서브픽셀 회로의 전류 값을 결정하는데 중요한 기준
이 되는 전원이 된다.
[0105] 도 6을 참조하면, 초기화전압을 서브픽셀 회로 내 입력하는 기능을 센싱 트랜지스터(SENT)가 담당한다.
[0106] 따라서, 센싱 트랜지스터(SETN)의 특성 편차가 발생할 경우, 구동 트랜지스터(DRT)의 소스 노드(N1 노드)를 초
기화전압(예: Vref)으로 초기화할 때, 구동 트랜지스터(DRT)의 소스 노드(N1 노드)가 실제로 초기화된 전압에
편차가 유발될 수 있다.
[0107] 도 6을 참조하면, 초기화 과정에서, 구동전압(EVDD) 및 기준전압(Vref)의 전위차에 의해, 구동 트랜지스터(DRT)
및 센싱 트랜지스터(SENT)를 통해 전류가 흐를 수 있다.
[0108] 실제로, 구동 트랜지스터(DRT) 및 센싱 트랜지스터(SENT) 각각은 저항 성분을 가질 수 있다.
[0109] 따라서, 초기화 과정에서 서브픽셀을 모델링 하면, 도 7에 도시된 바와 같이, 구동 트랜지스터(DRT) 및 센싱 트
랜지스터(SENT) 각각은 직렬로 연결된 저항으로 모델링 될 수 있다.
[0110] 도 7을 참조하면, 센싱 트랜지스터(SENT)의 전기적인 특성이 나빠지는 경우, 즉, 센싱 트랜지스터(SENT)의 문턱
전압이 높거나 센싱 트랜지스터(SENT)의 이동도가 낮은 경우, 센싱 트랜지스터(SENT)의 저항 값이 높아지고, 이
로 인해, 초기화 과정에서, 구동 트랜지스터(DRT)의 소스 노드(N1 노드)를 기준전압(Vref)으로 초기화하지만,
구동 트랜지스터(DRT)의 소스 노드(N1 노드)의 전압(Vs)이 기준전압(Vref)보다 높아지게 된다.
[0111] 따라서, 구동 트랜지스터(DRT)의 게이트 노드(N2 노드) 및 소스 노드(N1 노드) 간의 전위차(Vgs)가 작아짐으로
써, 구동 트랜지스터(DRT)를 통해 유기발광다이오드(OLED)로 흐르는 전류가 감소한다. 이러한 전류 감소는 해당
서브픽셀의 휘도를 떨어뜨릴 수 있다.
[0112] 이러한 현상은, 해당 서브픽셀의 휘도 저하뿐만 아니라, 각 서브픽셀에서의 전류 편차를 유발시켜 얼룩 현상 등
의 화질 불량을 초래할 수 있다.
[0113] 아래에서는, 전술한 바와 같이, 센싱 트랜지스터(DRT)의 전기적인 특성이 나쁜 경우에 발생하는 휘도 저하 및
화질 불량 현상을 방지하기 위한 구동방법을 더욱 상세하게 설명한다.

結果 (繁體中文) 1:

參照圖5，驅動晶體管（DRT）的運動也可以簡單地[0095]的傳感原理說明中，驅動晶體管（DRT）
，以限定一個電流能力比閾值電壓的驅動晶體管的（Vth）時（特性其他柵極節點的DRT的（節點N2））
一個△VSENSE（=△Vth）的一個恆定電壓被施加除了允許。
[0096]在通過充電電壓的一個預定的時間量，驅動晶體管的電流能力（即，遷移率）這種方式（DRT）相對
可確定紅，保存這個校正增益（增益），用於通過補償產生。
[0097]驅動晶體管的遷移率被感測（DRT）基本上是導通，因為它是（導通）時，快速感測速度
具有的功能。因此，遷移率也稱為快速模式（F模式），以感測模式。
[0098]上述的流動性，輸送通過所述傳感圖的補償，可以通過在預定時間期間以顯示驅動來完成。這樣，通過
寫入它可以被感測和驅動晶體管（DRT），這是在實時可變的補償參數。
[0099]圖6和感測操作的初始化過程中，根據本實施例，在OLED顯示器100的子像素電路的節點
的圖tanaen。圖7是根據本實施例的OLED顯示器100的操作期間感測到，在子像素電路的節點
初始化過程的子像素電路的模擬圖。端節點的每個節點N1和N2，驅動晶體管（DRT）被
假設為在源節點和一個柵極節點。
如果[0100]參照圖6，有機發光顯示裝置100的感測操作包括源節點（N1節點）和所述驅動晶體管的柵極（DRT）
需要的初始化處理初始化一個結點（N2節點）。
[0101]子像素電路，因為像素電流特性根據每個節點的初始化性能（N1的節點，節點N2）改變，初始化性能
是必需的改進。
[0102]特別地，所述感測晶體管（SENT）是影響初始化的性能的主要因素之一。
[0103]參照圖6，在圖3，一個實施例中，驅動晶體管（DRT）的源爐所示的3T1C結構的子像素電路
德（N1節點），所述初始化電壓（復位電源），一個基準電壓（Vref作為）可以被使用。
[0104]所述的初始化電壓決定柵極節點（N2節點）和驅動晶體管（DRT）的源極節點（N1節點）的電勢差（Vgs的）
是重要的是要建立參考的功率。換句話說，所述初始化電壓是在確定子像素電路的電流值的一個重要標準
是作為功率。
[0105]參照圖6，充電的輸入電壓的感測功能來初始化晶體管的子像素電路的（發送）。
[0106]因此，所述感測晶體管，如果在（SETN）特性的變化，驅動晶體管的源節點（DRT）（N1節點），所述第二
蒸發電壓（例如：VREF）源在初始化時，驅動晶體管（DRT）節點（N1節點）實際上初始化電壓
可以是偏差可引起的。
[0107]如果，在初始化過程中，驅動晶體管（DRT）由驅動電壓（EVDD）和參考電壓（Vref）之間的電勢差，以圖6
是有電流能流和感測晶體管（SENT）。
[0108]在實踐中，每個驅動晶體管的（DRT）和感測晶體管（SENT）可以具有的電阻分量。
因此，在初始化過程建模的子像素時，如圖[0109]驅動晶體管（DRT）和感測位在圖7中
晶體管（SENT），其每個可以被建模為串聯連接的電阻器。
如果[0110]參考圖7，感測當晶體管的電特性（SENT）惡化，即，感測晶體管（SENT）的閾值
時的電壓高或感測晶體管的低運動（SENT）也，感測晶體管增加的（發送）的電阻，是
在初始化過程中，由於驅動晶體管源節點復位到參考電壓（Vref）至（N1節點），但（DRT）
的驅動晶體管（DRT）的源節點（N1節點）電壓（Vs）比基準電壓（Vref）更高。
[0111]因此，柵極節點（N2節點）和源極節點，所述電勢差（Vgs的）是驅動器晶體管的（N1節點）（DRT）之間的較小
經由驅動晶體管發射寫入電流流過有機發光，（DRT）二極管（OLED）它降低。這種減少的電流
會降低子像素的亮度。
[0112]這種現象，以及所述子像素的亮度降低，引起在每個子像素中的電流偏差如飛濺現象
可以導致對圖像質量較差。
[0113]在下文中，如上述那樣，亮度劣化，並且當感測晶體管（DRT）壞的電氣特性產生
現在將詳細用於防止較差圖像質量的發展的驅動方法進行說明。

結果 (繁體中文) 2:

5、簡單描述驅動電晶體（DRT+ [0095]）的移動感感原理時，驅動電晶體（DRT）
定義除閾值電壓 （Vth）外的電流能力特性，驅動電晶體 （DRT） 的柵極節點 （N2 節點）
它將 ±Vsense （=Vth） 應用於特定電壓。
[0096] 這樣，通過充電一段時間的電壓量，驅動電晶體（DRT）的電流容量
以獲得補償的修正收益。
[0097] 此移動感傳是驅動電晶體（DRT）基本開啟，因此傳感速度快
具有功能。因此，運動也稱為感應模式快速模式（F 模式）。
[0098] 上述運動也通過感應進行補償，在駕駛螢幕時，可以通過花費一定時間進行。這樣，
可以即時感應和補償驅動電晶體 （DRT） 的參數。
[0099] 6是根據本實施例所述有機發光顯示100的傳感操作，該節點在子圖元電路內的初始化過程i
這是一張燒焦的圖畫。7是有機發光顯示器100的傳感操作，根據本實施例，節點的子圖元電路
初始化過程的子圖元電路的建模圖。但是，驅動電晶體 （DRT） 的每個 N1 和 N2 節點
假定源節點和柵極節點。
[0100] 6、有機發光顯示器100的傳感操作、源節點（N1節點）和驅動電晶體（DRT）的柵極
它需要初始化過程來初始化節點（N2 節點）。
[0101] 子圖元電路根據每個節點（N1節點、N2節點）的初始化性能改變圖元電流特性，因此初始化性能
需要改進。
[0102] 特別是傳感電晶體（SENT），是影響初始化性能的主要因素之一。
[0103] 6，在圖3所示的3T1C結構的子圖元電路中，例如，驅動電晶體（DRT）的源無
參考電壓 （Vref） 可用作 （N1 節點） 的初始電壓（初始化功率）。
[0104] 此初始化電壓確定以確保驅動電晶體（DRT）的柵極節點（N2節點）和源節點（N1節點）的電位差（Vgs）
電源，這是一個重要標準換句話說，初始電壓是確定子圖元電路電流值的重要標準。
它成為力量。
[0105] 6，傳感電晶體（SENT）負責在子圖元電路中輸入初始電壓的能力。
[0106] 因此，如果發生傳感電晶體（SETN）的特徵偏差，則驅動電晶體（DRT）的源節點（N1節點）
初始化為氣化電壓（例如 Vref）時，驅動電晶體 （DRT） 的源節點 （N1 節點） 實際上是
可能導致偏差。
[0107] 6，在初始化過程中，由驅動電壓（EVDD）和參考電壓（Vref）的電位差，驅動電晶體（DRT）
電流可以流經感應電晶體（SENT）。
[0108] 事實上，驅動電晶體（DRT）和傳感電晶體（SENT）分別可能具有電阻元件。
[0109] 因此，在初始化過程中對子圖元進行建模時，如圖7所示，驅動電晶體（DRT）和傳感
每個朗斯特 （SENT） 都可以採用串聯的電阻進行建模。
[0110] 7，如果傳感電晶體（SENT）的電氣特性惡化，即傳感電晶體（SENT）的閾值
如果電壓高或感應電晶體 （SENT） 的移動低，則感應電晶體 （SENT） 的電阻值增加，
由於初始化過程，驅動電晶體（DRT）的源節點（N1節點）被重置為參考電壓（Vref），但是，
驅動電晶體（DRT）源節點（N1節點）的電壓（V）高於參考電壓（Vref）。
[0111] 因此，驅動電晶體（DRT）的柵極節點（N2節點）和源節點（N1節點）之間的電位差（Vgs）較小。
寫入時，流經有機發光二極體 （OLED） 的電流通過驅動電晶體 （DRT） 減小。電流減少
它能夠降低子圖元的亮度。
[0112] 這種現象導致每個子圖元的電流偏差，以及子圖元亮度的降低，如塗片現象等。
可能會導致圖片品質差。
[0113] 下面，如上所述，感應電晶體（DRT）的電氣特性引起的亮度下降是壞的，並且
它將更詳細地描述防止圖像品質差的駕駛方法。

結果 (繁體中文) 3:

參照度5，簡單說明驅動電晶體
為了規定除門檻電壓（Vth）外的電流能力特性，驅動電晶體（DRT）的門（N2節點）
在一定的電壓中，△Vsense（△Vth）。
就這樣，通過新增一小時的電壓量，驅動電晶體（DRT）的電流能力（即移動度）相對
可以掌握，通過此獲取補償的校正螃蟹（Gain）。
這樣的移動度Sensing基本上是轉動式轉動-溫（Turn-On）。Senshing速度快
有特點。囙此，移動管道也可以傳球模式（F-Mode）。
[0098]通過傳說的移動度進行補償，可以在畫面驅動時進行一定時間。就這樣
使用實时變動的驅動電晶體可以激進和補償。
[0099]度6是根據實时顯示有機發光裝置（100）的雷射動作時，發球點數電路內的初始化過程
這是圖紙。圖7是本實施例子的有機發光指示器
這是對初始化過程的子點數電路的模型圖紙。但是，具東式電晶體的N1節點和N2節點
假定是源節點和門。
[0100]也參照6，有機發光指示器（100）的靈感動作，具東式電晶體（DRT）的調料節點（N1節點）和門
需要初始化節點。
[0101]發球點數會根據各節點（N1節點，N2節點）的初始化效能改變火牛電流特性，初始化效能。
需要改善。
[0102]特別是，感性電晶體是影響初始化效能的主要參數之一。
[0103]也參照6，在圖3所預示的3T1C結構的子點數電路上，一例如，具東式電晶體（DRT）的調料no
作為N1節點的初始化電壓（初始化電源）可以使用標準電壓（Vref）。
[0104]這種初始化電壓决定了驅動電晶體（DRT）的門節點（N2節點）和調料節點（N1節點）的前位差（Vgs）（Vgs）
這是决定的重要標準的電源。即，初始化電壓决定子點數電路電流值的重要標準
成為一員。
[0105]也要參照6，將初始化電壓放到發球點數電路內輸入的功能承擔。
[0106]囙此，發生Senshing電晶體（SETN）特性偏差時，驅動電晶體（DRT）的調料節點（N1節點）
基化電壓（例如：Vref）初始化時，驅動電晶體（DRT）的調料節點（N1節點）實際上被初始化的電壓壓制
偏差可能流發。
[0107]也參照6，在初始化過程中，驅動電壓（EVDD）及標準電壓（Vref）的電位差，具東式電晶體（DRT）
通過和Sens電晶體可以通過電流流。
[0108]實際上，具東式電晶體和感性電晶體分別具有抵抗成分。
[0109]囙此，在初始化過程中代言發球點數的話，也如圖7所示的，驅動電晶體
蘭芝斯特分別可以以串聯的抵抗來程式碼。
[0110]也參照7的話，Sending電晶體的電力特性會變壞，即是Senshing電晶體（SENT）的門檻
電壓高或更新電晶體的移動度低，Senshing電晶體的抵抗值會高，而這是
囙此，在初始化過程中，將驅動電晶體（DRT）的調料節點初始化，但它重置為基準電壓（Vref）。
驅動電晶體的源節點（N1節點）的電壓比標準電壓（Vref）。
[0111]囙此，具東式電晶體（DRT）門（N2節點）和調料節點之間的電位差（Vgs）變小
通過驅動電晶體减少有機發光二極體。這種電流减小有關
可降低發球點數的徽度。
[0112]這種現象，不僅使該發球點數的輝度下降，還誘發各個發球點數的電流偏差，污漬現象等
會導致畫質不良。
[0113]下麵，如前述一樣，感性電晶體