Fig. 2의 (a)는 UV-vis-NIR spectrometer를 이용하여 Aglayer 두께에 따른 투명전도막의 광투과도를的繁體中文翻譯

Fig. 2의 (a)는 UV-vis-NIR spectromete

Fig. 2의 (a)는 UV-vis-NIR spectrometer를 이용하여 Ag
layer 두께에 따른 투명전도막의 광투과도를 나타내었다. Ag
layer 두께가 4nm일때 가시영역인 400~600nm 중에서 특히
600nm에서 78%의 투과율을 보이고, 8nm일때는 가시영역인
400~600nm 중에서 특히 510nm에서 85%의 높은 투과율을 보
이고 있다. 그러나 Ag layer를 12nm 이상 박막하게 되면 투과
도가 점점 떨어져 평균 약 65~75%의 투과율을 보이고 있다. 이
는 Ag layer의 두께가 8nm까지는 Fig. 1에서 관찰할 수 있듯이
전체적으로 미세 Ag결정 사이에 큰 Ag결정이 섬과 같은 형태
로 생성되었기 때문이라고 판단된다. 이는 전체적으로 박막이
되기 위한 과정으로 큰결정은 미세결정보다 결정립계의 면적이
작기 때문에 투과하는 빛에 대한 간섭이 줄어들어 더 우수한
광학적 특성을 보이는 것으로 판단 된다. Ag layer 두께가 8nm
이상이 되면 미세결정보다 큰결정이 많아지게 되며 결정립계의
면적도 같이 증가하게 되어 투과도를 떨어뜨린 결과로 생각된
다. Fig. 2의 (b)는 Hall effect measurement system을 이용하여
Ag layer 두께에 따른 이동도 및 집중도를 측정한 결과이다. 본
실험에서 이동도와 집중도는 Ag layer의 두께에 따라 반비례하
는 경향이 나타났다. 이는 Ag layer의 두께가 두꺼워 질수록 미
세결정립이 큰 결정립으로 변화하면서 미세결정립에 비해 상대
적으로 큰 결정립은 결정립계가 차지하는 면적이 작기 때문에
결정립계에 의한 전자의 간섭이 줄어들어 이동도가 증가하고,
전자의 이동도가 증가하게 되므로 전자농도가 하락하게 된 것
으로 판단된다.
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結果 (繁體中文) 1: [復制]
復制成功!
圖 2 (a) 使用紫外-可見-近紅外光譜儀 Ag由於透明導電層的厚度也表明光傳輸。Ag層厚度的一根刺時區域 400-4nm 600nm 處尤其是78%的透光率在 600nm 處,8nm,可見區域400-600-尤其是高透光率 > 85 %510nm 從博城這。然而,Ag 獲取更多比薄膜層 12nm 傳輸到也越來越平均透光率約 65-75%。這直到 Ag 8nm 圖 1 作為你層的厚度可以觀察總體來看,決定罰款銀決定看起來就像島嶼之間的大銀和因為它由這一判決。這是,作為一個整體薄膜成為一個大面積的微觀決策,而不是確定糧食過程由於規模較小的傳輸更好地降低了光的干涉光學性能,它似乎。8nm 銀層厚度不止一次,它會大於細粒系統決定由此而產生的決定如果你喜歡赤道已被刪除,增加傳輸中.圖 2 (b) 利用霍爾效應測量系統由於移動 Ag 濃度由於此項措施與層的厚度。這説明將焦點移從實驗是根據銀層厚度成反比傾向于。這是的厚度層加厚更多美國 Ag確定改變成一個大的決定,以細粒唇相比相對的年齡其糧食行業由於規模較小的足跡與一個重大的決定顆粒運動通過降低電子系統的干擾是在上升,增加運動的電子,所以在 e 濃度下降被當作判斷。
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結果 (繁體中文) 2:[復制]
復制成功!
圖 圖2(a)是銀通過使用UV-VIS-NIR光譜儀
,根據該層的厚度表現出透明導電膜的透光率。銀
層的厚度為4nm時尤其400〜600nm的可見區
顯示出在600nm一78%的透光率,為8nm時的可見區域
的安全性,在從400〜600nm的510nm處的85%的特別高的透射率
有。但是,當Ag薄膜層發射至少為12nm
遠更度已經顯示大約65至75%的平均透射率。這
示於圖直到Ag層為8nm的厚度。如可以在一個可見
的整體Ag微晶體形式之間較大的Ag晶粒,例如作為島
被確定為由於產生。該薄膜完全是
大於晶界的面積中的處理的細晶體變得
更優異的干擾減少用於傳輸的光要小
,判斷表現出的光學特性。Ag層厚度為8nm
以上時更大的晶體和細晶體導致的增加的晶界
思想為撞倒的傳輸區域的一個結果是增加了也
就是。圖 的使用霍爾效應測量系統圖2(b)
是測量所述Ag層厚度的濃度和運動的結果。該
實驗濃度助動成反比Ag層按照厚度
出現的傾向。這個更大的Ag層美國的厚度較厚
相對較細晶粒,而變更在三個晶粒大晶粒
的,因為通常較大晶粒較少受晶界所佔面積
增加了由晶粒邊界的電子的干擾的移動性的機會少,而且
È由於遷移率的增加將在電子濃度的下降
是由確定的。
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