Fig. 2의 (a)는 UV-vis-NIR spectrometer를 이용하여 Ag
layer 두께에 따른 투명전도막의 광투과도를 나타내었다. Ag
layer 두께가 4nm일때 가시영역인 400~600nm 중에서 특히
600nm에서 78%의 투과율을 보이고, 8nm일때는 가시영역인
400~600nm 중에서 특히 510nm에서 85%의 높은 투과율을 보
이고 있다. 그러나 Ag layer를 12nm 이상 박막하게 되면 투과
도가 점점 떨어져 평균 약 65~75%의 투과율을 보이고 있다. 이
는 Ag layer의 두께가 8nm까지는 Fig. 1에서 관찰할 수 있듯이
전체적으로 미세 Ag결정 사이에 큰 Ag결정이 섬과 같은 형태
로 생성되었기 때문이라고 판단된다. 이는 전체적으로 박막이
되기 위한 과정으로 큰결정은 미세결정보다 결정립계의 면적이
작기 때문에 투과하는 빛에 대한 간섭이 줄어들어 더 우수한
광학적 특성을 보이는 것으로 판단 된다. Ag layer 두께가 8nm
이상이 되면 미세결정보다 큰결정이 많아지게 되며 결정립계의
면적도 같이 증가하게 되어 투과도를 떨어뜨린 결과로 생각된
다. Fig. 2의 (b)는 Hall effect measurement system을 이용하여
Ag layer 두께에 따른 이동도 및 집중도를 측정한 결과이다. 본
실험에서 이동도와 집중도는 Ag layer의 두께에 따라 반비례하
는 경향이 나타났다. 이는 Ag layer의 두께가 두꺼워 질수록 미
세결정립이 큰 결정립으로 변화하면서 미세결정립에 비해 상대
적으로 큰 결정립은 결정립계가 차지하는 면적이 작기 때문에
결정립계에 의한 전자의 간섭이 줄어들어 이동도가 증가하고,
전자의 이동도가 증가하게 되므로 전자농도가 하락하게 된 것
으로 판단된다.