在電化學沉積工藝之前,GCE 在 BAS 拋光套件的説明下進行了良好的拋光,並帶有氧化鋁粉的水漿(0.05 mm),在雙蒸餾水中沖洗和超聲波。<br>GCE通過執行含有1 mM AgClO4的1 mL BMT和在掃描速率為0.05 V/s的3個迴圈時在1.2至0 V之間的潛在迴圈,與銀納米粒子一起電沉積。<br>圖3A顯示了GCE上納米Ag膜電化學沉積過程的環伏相圖。Ag 的陽極氧化發生在 0.69 V 和陰極還原發生 0.39 V。<br>相應峰的連續迴圈和生長驗證了Ag奈米粒子在GCE表面上的沉積。此外,經過改造的銀納米顆粒用去離子水清洗,乾燥5分鐘。<br> 為了防止Ag奈米粒子容易氧化,納米Ag改性GCE表面塗有4 mL的納菲翁和離子液體(BMT)混合物(比(1:1),並在空氣中乾燥,並在4°C下在冰箱中保存2小時。此外,納米Ag/BMT-Nf改性GCE已應用於BMT,用於不同的掃描率研究。<br>表面清潔的 ITO 玻璃電極已浸入 1 mL BMT 中,含有 1 mM AgClO4(掃描速率為 1.2 到 0 V 之間的潛在迴圈<br>Ag 奈米粒子的電極定位為 3 個迴圈 0.05 V/s。<br><br>1-丁基-3-甲基異化矽酮(BMT)(purum=97%,HPLC),銀每氯酸鹽,無水,97%,Nafion(每個氟化的換銀樹脂,5%的重量溶液在低脂肪醇/H2O混合物(含有15-20%水))從西格瑪-奧爾德里希(美國)購買。所有其他使用的化學品(默克)均具有分析級(99%)。使用雙蒸餾脫離子水準備所有溶液。使用 Na2HPO4 (0.05 mol L-1) 和 NaH2PO4 (0.05 mol L-1) 製備了 pH 7.0 的磷酸鹽緩衝液 (PBS)。
正在翻譯中..