Fig. 3은 ZnO/Ag/ZnO 박막에서 최상층 ZnO lay

Fig. 3은 ZnO/Ag/ZnO 박막에서 최상층 ZnO layer의 두께
에 따른 Bulk resistivity와 집중도를 나타내었다. 저항은 최상층
ZnO layer의 두께가 5nm에서 15nm까지 감소하고 이후 증가한
다. 이는 Ag와 ZnO에 빛이 투과할 때 Ag와 ZnO의 평형 Fermi
전위로부터 전자가 이동하여 생긴 현상이다. ZnO layer의 두께
가 15nm 이하 일때는 ZnO의 전도대가 Fermi전위 근처에서 비

Fig. 4 Schematic diagram of ohmic contact Ag/ZnO interface
뚤어져 전도대를 더 많은 캐리어로 채우게 된다. 따라서 높은
유동성이 예상 되고, 일반적으로 ZnO 전도대가 구부러지는 두
께는 약 15nm이므로 ZnO layer의 두께가 15nm까지는 두께가
증가할수록 저항이 감소한다. 그러나 ZnO layer의 두께가
15nm 이후에는 대역 간극을 넘어서 회복하여 저항이 다시 증
가하게 되므로 저항이 증가하는 것으로 판단된다. 또한 캐리어
는 Ag의 자유전자들의 이동을 도와주기 때문에 ZnO layer의
두께가 두꺼워 질수록 전자농도를 떨어뜨리는 것으로 판단된다.
Fig. 4는 위와 같은 현상을 그림으로 나타내었다. 여기서 Ef는
Fermi전위이며 CB는 전도대, VB는 가전자대다.

結果 (繁體中文) 1:

無花果 ZnO/Ag/ZnO 薄膜在頂層的氧化鋅層厚度三由於體積電阻率和強度。電阻是在頂樓氧化鋅層厚度的 5nm 和增加以來減少到 15nm這是當光幾個透的銀和銀氧化鋅和氧化鋅平衡費米先鋒派注入通過移動電子從現象。氧化鋅層厚度你什麼時候去附近的 ZnO 傳導帶 15nm 天是費米勢非圖 4 歐姆接觸 Ag/ZnO 介面示意圖扭曲的傳導帶充滿更多的運營商。因此，高流動性預計，通常彎曲的傳導帶是兩個氧化鋅後約 15nm，所以到 ZnO 15nm 層厚度的厚度增加，電阻降低。然而，氧化鋅層的厚度樂隊在恢復 15nm 差距後阻力回到蒸汽既然你要增加抵抗力。此外，承運人去了 Ag 免費 e 適當氧化鋅層的説明更厚更多電子密度下降。圖 4 示的現狀。這 Ef 是費米脫位和 CB 是傳導帶，VB 將電子。

結果 (繁體中文) 2:

圖 圖3是在頂層的ZnO的ZnO層的厚度/銀/ ZnO薄膜
表明體積電阻率和的濃度。頂層有阻力
的ZnO層5nm至15nm的厚度降低，後來增加
了。該ZnO和Ag的平衡費米到銀和氧化鋅透射光上
引起的電子的現象從電勢移動。ZnO層的厚度
是15nm的或更少時的導帶附近的非氧化鋅費米電勢圖。歐姆接觸銀/ 4示意圖氧化鋅界面調節ttul導帶充滿了更多的運營商。因此，高流動性的預期，這兩個導帶被彎曲通常的ZnO 15nm左右華麗，使具有厚度為至多15nm的氧化鋅層的厚度減小的阻力增大。然而，氧化鋅層的厚度在15nm的後具有抗性再次增加並回收超出帶隙發揮，因此，它確定了阻力增大。此外，載體為Ag由於幫助自由電子的運動的ZnO層確定出更大的厚度越厚分解的電子密度。圖 圖4顯示了同樣的現象如上圖。其中，EF是費米電位和導帶CB，VB是一個多到多價。

結果 (繁體中文) 3:

Fig。三是ZnO / Ag / ZnO ZnO layer薄膜中最上層的厚度根據Bulk resistivity和集中度。電阻的最上層ZnO layer厚度5nm中15nm减少後新增。。這是Ag和ZnO上透光時Ag和ZnO平衡Fermi從前衛電子移動而產生的現象。ZnO layer厚度有15nm以下時的ZnO的導帶電位附近有Fermi費Fig。4 Schematic diagram of ohmic contact Ag / ZnO interface走向更多的載流子傳導大用。囙此，高流動性，一般ZnO導帶的兩個。給藥15nm，ZnO layer 15nm厚度的厚度。新增越阻力减少。但ZnO layer厚度15nm以後頻帶間隙超過重新恢復，抵抗症是的，電阻新增，判斷。而且載體在Ag的自由電子的移動，由於ZnO layer的幫助厚度越厚，電子濃度的判斷。Fig。四比特的現象，顯示的影像。這裡的EfFermi前衛，CB的導帶，VB的價電子。